IRFD9210

Symbol Micros: TIRFD9210
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
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P-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3Ohm; 400mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Max. Drainstrom: 400mA
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFD9210PBF Gehäuse: PDIP04HVMDIP Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7933 0,4993 0,4130 0,3687 0,3453
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Max. Drainstrom: 400mA
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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