IRFD9210
Symbol Micros:
TIRFD9210
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
P-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3Ohm; 400mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 400mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
| Gehäuse: | PDIP04HVMDIP |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFD9210PBF
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8029 | 0,5054 | 0,4180 | 0,3731 | 0,3495 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFD9210PBF
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Externes Lager:
3050 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3495 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 400mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
| Gehäuse: | PDIP04HVMDIP |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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