IRFD9210

Symbol Micros: TIRFD9210
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
P-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3Ohm; 400mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 400mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFD9210PBF Gehäuse: PDIP04HVMDIP Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8015 0,5045 0,4173 0,3725 0,3489
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFD9210PBF Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Externes Lager:
3050 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3489
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 400mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT