TIRFF430

Symbol Micros: TIRFF430
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 39
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HEXFET 500V 2,50A 1,5Ω
Parameter
Drain-Widerstand (Rds on): 1,5 Ohm
Drainstrom: 2,5A
Spannung [Uds]: 500V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Drain-Widerstand (Rds on): 1,5 Ohm
Drainstrom: 2,5A
Spannung [Uds]: 500V

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