IRFH3707TRPBF International Rectifier

Symbol Micros: TIRFH3707
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Gehäuse: PQFN56 (5x6mm)
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 17,9 mOhm; 12A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17,9mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 2,8W
Gehäuse: PQFN56 (5x6mm)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFH3707TRPBF Gehäuse: PQFN56 (5x6mm)  
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Nettopreis (EUR) 0,1196
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4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 17,9mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 2,8W
Gehäuse: PQFN56 (5x6mm)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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