IRFH3707TRPBF International Rectifier
Symbol Micros:
TIRFH3707
Gehäuse: PQFN56 (5x6mm)
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 17,9 mOhm; 12A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 17,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,8W |
| Gehäuse: | PQFN56 (5x6mm) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 17,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,8W |
| Gehäuse: | PQFN56 (5x6mm) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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