IRFH708TRPBF International Rectifier

Symbol Micros: TIRFH7085
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PQFN6
Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,6 mOhm; 147A; 156W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,6mOhm
Max. Drainstrom: 147A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: PQFN6
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFH7085TR RoHS Gehäuse: PQFN6 Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,6794 1,2466 1,0890 1,0114 0,9879
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 3,6mOhm
Max. Drainstrom: 147A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: PQFN6
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole