IRFH708TRPBF International Rectifier

Symbol Micros: TIRFH7085
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PQFN6
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,6 mOhm; 147A; 156W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,6mOhm
Max. Drainstrom: 147A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: PQFN6
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFH7085TR RoHS Gehäuse: PQFN6 Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,5030 1,1163 0,9750 0,9055 0,8847
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 3,6mOhm
Max. Drainstrom: 147A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: PQFN6
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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