IRFH708TRPBF International Rectifier

Symbol Micros: TIRFH7085
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PQFN6
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,6 mOhm; 147A; 156W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,6mOhm
Max. Drainstrom: 147A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: PQFN6
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFH7085TR RoHS Gehäuse: PQFN6 Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,5293 1,1358 0,9920 0,9213 0,9001
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Standard-Verpackung:
20
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFH7085TRPBF Gehäuse: PQFN6  
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9001
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,6mOhm
Max. Drainstrom: 147A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: PQFN6
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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