IRFH7932TRPBF International Rectifier

Symbol Micros: TIRFH7932
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Gehäuse: PQFN56 (5x6mm)
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 3,9 mOhm; 25A; 3,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,9mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 3,4W
Gehäuse: PQFN56 (5x6mm)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFH7932TR RoHS Gehäuse: PQFN56 (5x6mm) Datenblatt
Auf Lager:
37 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8263 0,5235 0,4132 0,3756 0,3592
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 3,9mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 3,4W
Gehäuse: PQFN56 (5x6mm)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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