IRFH8325TRPBF

Symbol Micros: TIRFH8325
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: QFN-08
Trans MOSFET N-CH 30V 21A
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 3,6W
Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 5mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 3,6W
Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD