IRFH9310 Infineon
Symbol Micros:
TIRFH9310
Gehäuse:
P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,1 mOhm; 21A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFH9310TRPBF; IRFH9310TR2PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 21A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
| Gehäuse: | PQFN08 (6x5mm) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFH9310TRPBF
Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)
Externes Lager:
4000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4560 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 21A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
| Gehäuse: | PQFN08 (6x5mm) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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