IRFH9310 Infineon

Symbol Micros: TIRFH9310

Gehäuse:

P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,1 mOhm; 21A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFH9310TRPBF; IRFH9310TR2PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	7,1mOhm
Max. Drainstrom:	21A
Maximaler Leistungsverlust:	3,1W
Gehäuse:	PQFN08 (6x5mm)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	7,1mOhm
Max. Drainstrom:	21A
Maximaler Leistungsverlust:	3,1W
Gehäuse:	PQFN08 (6x5mm)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD