IRFI3205
Symbol Micros:
TIRFI3205
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 8mOhm; 64A; 63W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFI3205PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 64A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 63W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFI3205 RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,3065 | 1,7712 | 1,5047 | 1,4717 | 1,4410 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFI3205PBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
660 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4410 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFI3205PBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4410 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 64A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 63W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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