IRFI4020H-117P TO220/5Qiso

Symbol Micros: TIRFI4020h-117p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220/5Q iso
2xN-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 100 mOhm; 9.1A; 21W; -55 °C ~ 150 °C; IRFI4020H-117PXKMA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 9,1A
Maximaler Leistungsverlust: 21W
Gehäuse: TO220/5Q iso
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFI4020H-117P RoHS Gehäuse: TO220/5Q iso Datenblatt
Auf Lager:
9 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8344 1,4558 1,2911 1,2347 1,2229
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFI4020H-117PXKMA1 Gehäuse: TO220/5Q iso  
Externes Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2229
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 9,1A
Maximaler Leistungsverlust: 21W
Gehäuse: TO220/5Q iso
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT