IRFI4020H-117P TO220/5Qiso
Symbol Micros:
TIRFI4020h-117p
Gehäuse: TO220/5Q iso
2xN-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 100 mOhm; 9.1A; 21W; -55 °C ~ 150 °C; IRFI4020H-117PXKMA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
Max. Drainstrom: | 9,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 21W |
Gehäuse: | TO220/5Q iso |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFI4020H-117P RoHS
Gehäuse: TO220/5Q iso
Datenblatt
Auf Lager:
9 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,8344 | 1,4558 | 1,2911 | 1,2347 | 1,2229 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFI4020H-117PXKMA1
Gehäuse: TO220/5Q iso
Externes Lager:
400 stk.
Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,2229 |
Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
Max. Drainstrom: | 9,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 21W |
Gehäuse: | TO220/5Q iso |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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