IRFI4212H-117P TO220/5Qiso

Symbol Micros: TIRFI4212h-117p
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Gehäuse: TO220/5Q iso
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2xN-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 72,5 mOhm; 11A; 18W; -55 °C ~ 150 °C; IRFI4212H-117PXKMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 72,5mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 18W
Gehäuse: TO220/5Q iso
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFI4212H-117PXKMA1 Gehäuse: TO220/5Q iso  
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1500 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5734
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 72,5mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 18W
Gehäuse: TO220/5Q iso
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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