IRFI530GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFI530g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 160 mOhm; 9,7A; 42W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 9,7A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI530GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7677 0,4860 0,3827 0,3498 0,3334
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 9,7A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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