IRFI640GPBF Vishay
Symbol Micros:
TIRFI640g
Gehäuse: TO220FP
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 180 mOhm; 9,8A; 40W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI640GPBF RoHS
Gehäuse: TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2395 | 0,9461 | 0,7841 | 0,6855 | 0,6526 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI640GPBF
Gehäuse: TO220FP
Externes Lager:
400 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9254 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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