IRFI644GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFI644g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 280 mOhm; 7,9A; 40W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 7,9A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI644GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2438 0,9504 0,7862 0,6899 0,6547
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI644GPBF Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
950 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7104
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 7,9A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole