IRFI644GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFI644g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 280 mOhm; 7,9A; 40W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 7,9A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI644GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2232 0,9347 0,7732 0,6785 0,6439
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI644GPBF Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
4190 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,7277
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 7,9A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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