IRFI830GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFI830g

Gehäuse: TO220FP

N-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 1,5 Ohm; 3.1A; 35W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	3,1A
Maximaler Leistungsverlust:	35W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFI830GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP

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50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2485	0,9528	0,7885	0,6923	0,6571

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	3,1A
Maximaler Leistungsverlust:	35W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT