IRFI840
Symbol Micros:
TIRFI840
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 850 mOhm; 4,6A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFI840GPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFI840G RoHS
Gehäuse: TO220iso
Auf Lager:
65 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5597 | 1,1575 | 0,9622 | 0,9387 | 0,9175 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI840GLCPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
755 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9175 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI840GPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
4650 stk.
| Anzahl Stück | 450+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9175 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI840GPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9175 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole