IRFI840

Symbol Micros: TIRFI840
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 850 mOhm; 4,6A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFI840GPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 4,6A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFI840G RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
65 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,5084 1,1193 0,9305 0,9077 0,8873
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 4,6A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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