IRFI840GLCPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFI840glc

Gehäuse: TO220FP

N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 850 mOhm; 4,5A; 40W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	850mOhm
Max. Drainstrom:	4,5A
Maximaler Leistungsverlust:	40W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFI840GLCPBF RoHS Gehäuse: TO220FP

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40 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,5882	1,2668	1,0824	0,9737	0,9335

Widerstand im offenen Kanal:	850mOhm
Max. Drainstrom:	4,5A
Maximaler Leistungsverlust:	40W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT