IRFI9520GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFI9520g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 600 mOhm; 5,2A; 37W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 37W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI9520GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8510 0,5392 0,4267 0,3868 0,3704
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 37W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole