IRFI9530G

Symbol Micros: TIRFI9530
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 300 mOhm; 7,7A; 42W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFI9530GPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 7,7A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI9530GPBF RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9881 0,7246 0,5811 0,4987 0,4705
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI9530GPBF Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
2900 stk.
Anzahl Stück 600+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5885
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 7,7A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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