IRFI9530G

Symbol Micros: TIRFI9530
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 300 mOhm; 7,7A; 42W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFI9530GPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 7,7A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI9530GPBF RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9694 0,7109 0,5701 0,4893 0,4616
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 7,7A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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