IRFI9530G
Symbol Micros:
TIRFI9530
Gehäuse: TO220iso
P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 300 mOhm; 7,7A; 42W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFI9530GPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI9530GPBF RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9935 | 0,7286 | 0,5843 | 0,5015 | 0,4731 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI9530GPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
33550 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8207 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI9530GPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
3900 stk.
| Anzahl Stück | 650+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5718 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole