IRFI9540GPBF

Symbol Micros: TIRFI9540
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 11A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; IRFI9540G; IRFI9540GPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFI9540GPBF RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
180 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,7505 1,3957 1,1946 1,0739 1,0290
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Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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