IRFIBC40GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFIBC40g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 1,2 Ohm; 3,5A; 40W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFIBC40GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4727 1,1252 0,9314 0,8155 0,7753
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole