IRFIBE30GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFIBE30g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 3Ohm; 2,1A; 35W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,1A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFIBE30GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4628 1,0242 0,8702 0,7955 0,7699
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Standard-Verpackung:
20
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFIBE30GPBF Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,8433
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFIBE30GPBF Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
900 stk.
Anzahl Stück 450+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,8406
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,1A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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