IRFIBF20GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFIBF20g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET 900V 1.2A 30W
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8Ohm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFIBF20GPBF Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
866 stk.
Anzahl Stück 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,7419
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 8Ohm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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