IRFIZ24NPBF Infineon

Symbol Micros: TIRFIZ24n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 70mOhm; 14A; 29W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 29W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFIZ24NPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7744 0,4896 0,3860 0,3531 0,3366
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFIZ24NPBF Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
180 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4700
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 29W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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