IRFIZ34GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFIZ34g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 50mOhm; 20A; 42W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFIZ34EPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFIZ34G RoHS Gehäuse: TO220FP  
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1425 0,8007 0,6401 0,6103 0,6011
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Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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