IRFIZ34NPBF Infineon

Symbol Micros: TIRFIZ34n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 40mOhm; 21A; 37W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 37W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFIZ34NPBF RoHS Gehäuse: TO220FP  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8581 0,5437 0,4302 0,3900 0,3735
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 37W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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