IRFL014N

Symbol Micros: TIRFL014n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 160 mOhm; 2,7A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL014NPBF; IRFL014NTRPBF; SP001570856; SP001554878;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFL014NTRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
105 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5665 0,3435 0,2639 0,2366 0,2261
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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