IRFL024ZTRPBF

Symbol Micros: TIRFL024z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 57,5 mOhm; 5.1A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL024ZTRPBF; IRFL024ZPBF; IRFL024ZPBF-GURT; IRFL024ZTRPBF; IRFL024Z;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 57,5mOhm
Max. Drainstrom: 5,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL024ZTRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
253 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6378 0,4055 0,3201 0,2917 0,2774
Standard-Verpackung:
2500
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL024ZTRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
2250 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2774
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL024ZTRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
97500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2774
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL024ZTRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2774
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 57,5mOhm
Max. Drainstrom: 5,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD