IRFL024Z
Symbol Micros:
TIRFL024z c
Gehäuse: SOT223
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 57,5 mOhm; 5.1A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL024ZTRPBF; IRFL024ZPBF; IRFL024ZPBF-GURT;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 57,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: NKGLBDT
Hersteller-Teilenummer: IRFL024ZTRPBF RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
475 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3835 | 0,2130 | 0,1681 | 0,1527 | 0,1478 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 57,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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