IRFL210

Symbol Micros: TIRFL210
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,5 Ohm; 960mA; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL210PBF; IRFL210TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Max. Drainstrom: 960mA
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFL210 RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5343 0,3243 0,2497 0,2249 0,2140
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Max. Drainstrom: 960mA
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole