IRFL210

Symbol Micros: TIRFL210
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,5 Ohm; 960mA; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL210PBF; IRFL210TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 960mA
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFL210 RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5285 0,3208 0,2470 0,2225 0,2116
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFL210TRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
17500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2116
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFL210TRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
6850 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3284
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 960mA
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD