IRFL210

Symbol Micros: TIRFL210
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Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,5 Ohm; 960mA; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL210PBF; IRFL210TRPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 960mA
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFL210 RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
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50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5427 0,3439 0,2714 0,2480 0,2363
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 960mA
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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