IRFL4105
Symbol Micros:
TIRFL4105
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 45mOhm; 5,2A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL4105PBF-GURT; IRFL4105TRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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