IRFL4105

Symbol Micros: TIRFL4105

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 45mOhm; 5,2A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL4105PBF-GURT; IRFL4105TRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	45mOhm
Max. Drainstrom:	5,2A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFL4105TR RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

35 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	250+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6263	0,3971	0,3120	0,2812	0,2718

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFL4105TR RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6263	0,3971	0,3120	0,2836	0,2718

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL4105TRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

17500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2718

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL4105TRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

2250 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2723

Widerstand im offenen Kanal:	45mOhm
Max. Drainstrom:	5,2A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD