IRFL4315TRPBF

Symbol Micros: TIRFL4315
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-MOSFET-Transistor; 150V; 30V; 185 mOhm; 2,6A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL4315PBF; IRFL4315TRPBF; IRFL4315;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 185mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL4315PBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9309 0,6191 0,5112 0,4620 0,4432
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFL4315PBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9309 0,6191 0,5112 0,4620 0,4432
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 185mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD