IRFL9014TRPBF-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRFL9014 CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 99mOhm; 10A; 31,3W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRFL9014PBF; IRFL9014TRPBF; IRFL9014TRPBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 99mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 31,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: IRFL9014TRPBF-CN RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
175 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5056 0,3062 0,2350 0,2120 0,2018
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 99mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 31,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD