IRFL9110

Symbol Micros: TIRFL9110

Gehäuse: SOT223

P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,2 Ohm; 1,1A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL9110TRPBF; IRFL9110PBF-GURT; IRFL9110TRPBF-BE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,2Ohm
Max. Drainstrom:	1,1A
Maximaler Leistungsverlust:	3,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFL9110TRPBF RoHS FF. Gehäuse: SOT223t/r

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	650+
Nettopreis (EUR)	0,5676	0,3565	0,2815	0,2557	0,2463

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFL9110TRPBF Gehäuse: SOT223

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512500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2463

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFL9110TRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

7500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2463

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFL9110TRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

10000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2463

Widerstand im offenen Kanal:	1,2Ohm
Max. Drainstrom:	1,1A
Maximaler Leistungsverlust:	3,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD