IRFL9110

Symbol Micros: TIRFL9110
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,2 Ohm; 1,1A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL9110TRPBF; IRFL9110PBF-GURT; IRFL9110TRPBF-BE3;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 1,1A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFL9110TR RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
35 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6693 0,4197 0,3498 0,3101 0,2915
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFL9110TRPBF RoHS FF. Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6693 0,4197 0,3498 0,3101 0,2915
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 1,1A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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