IRFL9110

Symbol Micros: TIRFL9110
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,2 Ohm; 1,1A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL9110TRPBF; IRFL9110PBF-GURT; IRFL9110TRPBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 1,1A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFL9110TRPBF RoHS FF. Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 650+
Nettopreis (EUR) 0,5652 0,3550 0,2802 0,2546 0,2452
Standard-Verpackung:
650
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFL9110TRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
1705000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2452
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFL9110TRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2452
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFL9110TRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
12500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2452
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 1,1A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD