IRFL9110

Symbol Micros: TIRFL9110 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,2 Ohm; 1,1A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL9110TRPBF; IRFL9110PBF-GURT; IRFL9110TRPBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 1,1A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 1,1A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD