IRFP044N
Symbol Micros:
TIRFP044
Gehäuse: TO 3P
N-MOSFET 53A 55V 120W 0.02Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
| Max. Drainstrom: | 53A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 120W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
| Max. Drainstrom: | 53A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 120W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole