IRFP048N

Symbol Micros: TIRFP048
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 16mOhm; 64A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP048PBF; IRFP048NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 64A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP048N RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2348 0,8663 0,7231 0,6714 0,6503
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Standard-Verpackung:
25/100
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 64A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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