IRFP054N

Symbol Micros: TIRFP054

Gehäuse: TO247

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 12mOhm; 81A; 170 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP054NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	12mOhm
Max. Drainstrom:	81A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP054NPBF RoHS Gehäuse: TO247

Auf Lager:

13 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,9645	1,4586	1,2553	1,1844	1,1560

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP054NPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

400 stk.

Anzahl Stück	400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,1560

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP054NPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

235 stk.

Anzahl Stück	5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2770

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP054NPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

12768 stk.

Anzahl Stück	125+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,1560

Widerstand im offenen Kanal:	12mOhm
Max. Drainstrom:	81A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT