IRFP054N

Symbol Micros: TIRFP054

Gehäuse: TO247

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 12mOhm; 81A; 170 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP054NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	12mOhm
Max. Drainstrom:	81A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP054N RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

25 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,9465	1,4452	1,2438	1,1735	1,1454

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP054NPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

705 stk.

Anzahl Stück	5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,3892

Widerstand im offenen Kanal:	12mOhm
Max. Drainstrom:	81A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT