IRFP064NPBF

Name: TIRFP064n TIRFP064n
Brand: Infineon
SKU: TIRFP064n
Price: 0.9649 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFP064n

Gehäuse: TO247

N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP064NPBF; IRFP064N;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	8mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP064NPBF RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

950 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,6410	1,2160	1,0494	0,9883	0,9649

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP064N RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

75 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,6410	1,2160	1,0494	0,9883	0,9649

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP064NPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

39 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2935

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP064NPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

735 stk.

Anzahl Stück	5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9649

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP064NPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

16684 stk.

Anzahl Stück	175+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9649

Widerstand im offenen Kanal:	8mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	5+	30+	60+	300+
Nettopreis (EUR)	1,6457	1,1503	0,9461	0,9109	0,8663