IRFP140

Symbol Micros: TIRFP140
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 77mOhm; 31A; 180 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP140PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 77mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP140PBF RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,8923 1,6718 1,3963 1,3113 1,2608
Standard-Verpackung:
2
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP140PBF RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
280 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,8923 1,6718 1,3963 1,3113 1,2608
Standard-Verpackung:
25
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP140PBF RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
23 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,8923 1,6718 1,3963 1,3113 1,2608
Standard-Verpackung:
23
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP140PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
877 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,2608
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP140PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
450 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,2608
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 77mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT