IRFP140

Symbol Micros: TIRFP140
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 77mOhm; 31A; 180 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP140PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 77mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-12-25
Anzahl Stück: 200
Widerstand im offenen Kanal: 77mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT