IRFP140NPBF

Symbol Micros: TIRFP140n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247AC
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 52mOhm; 33A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP140NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 52mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP140N RoHS Gehäuse: TO247AC Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,4769 1,0312 0,8605 0,8013 0,7776
Standard-Verpackung:
25/300
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP140NPBF Gehäuse: TO247AC  
Externes Lager:
24 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,7776
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP140NPBF Gehäuse: TO247AC  
Externes Lager:
375 stk.
Anzahl Stück 5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,7776
Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-05-25
Anzahl Stück: 300
Widerstand im offenen Kanal: 52mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT