IRFP150PBF
Symbol Micros:
TIRFP150
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 55mOhm; 41A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP150PBF; IRFP150;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
Max. Drainstrom: | 41A |
Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFP150 RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
95 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,0307 | 1,6110 | 1,4398 | 1,3788 | 1,3530 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFP150PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
365 stk.
Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,3530 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFP150PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
2002 stk.
Anzahl Stück | 175+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,3530 |
Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
Max. Drainstrom: | 41A |
Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole