IRFP150N

Symbol Micros: TIRFP150n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247AC
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP150NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 42A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP150NPBF Gehäuse: TO247AC  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5596
Standard-Verpackung:
400
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP150NPBF Gehäuse: TO247AC  
Externes Lager:
11320 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5829
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP150NPBF Gehäuse: TO247AC  
Externes Lager:
765 stk.
Anzahl Stück 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6653
Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 42A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT