IRFP22N50APBF Vishay

Symbol Micros: TIRFP22n50a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247AC
N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 230 mOhm; 22A; 277W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP22N50APBFXKMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 277W
Max. Drainstrom: 22A
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50A RoHS Gehäuse: TO247AC  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,1920 2,6297 2,3940 2,3403 2,2797
Standard-Verpackung:
25/50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50A RoHS Gehäuse: TO247AC Datenblatt
Auf Lager:
8 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,7753 3,0217 2,6973 2,6227 2,5340
Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 277W
Max. Drainstrom: 22A
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT