IRFP22N50APBF Vishay
Symbol Micros:
TIRFP22n50a
Gehäuse: TO247AC
N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 230 mOhm; 22A; 277W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP22N50APBFXKMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 230mOhm |
| Max. Drainstrom: | 22A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 277W |
| Gehäuse: | TO247AC |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50A RoHS
Gehäuse: TO247AC
Auf Lager:
50 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,1123 | 2,5640 | 2,3342 | 2,2819 | 2,2227 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 230mOhm |
| Max. Drainstrom: | 22A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 277W |
| Gehäuse: | TO247AC |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole