IRFP22N50APBF Vishay

Name: TIRFP22n50a TIRFP22n50a
Brand: Vishay
SKU: TIRFP22n50a
Price: 2.5513 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFP22n50a

Gehäuse: TO247AC

N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 230 mOhm; 22A; 277W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP22N50APBFXKMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	230mOhm
Max. Drainstrom:	22A
Maximaler Leistungsverlust:	277W
Gehäuse:	TO247AC
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50A RoHS Gehäuse: TO247AC Datenblatt

Auf Lager:

8 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	3,8012	3,0423	2,7158	2,6406	2,5513

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50A RoHS Gehäuse: TO247AC

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	3,2138	2,6477	2,4104	2,3563	2,2953

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50APBF Gehäuse: TO247AC

Externes Lager:

425 stk.

Anzahl Stück	75+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,5513

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50APBF Gehäuse: TO247AC

Externes Lager:

255 stk.

Anzahl Stück	75+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,5513

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50APBF Gehäuse: TO247AC

Externes Lager:

460 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,5513

Widerstand im offenen Kanal:	230mOhm
Max. Drainstrom:	22A
Maximaler Leistungsverlust:	277W
Gehäuse:	TO247AC
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT