IRFP22N50APBF Vishay

Name: TIRFP22n50a TIRFP22n50a
Brand: Vishay
SKU: TIRFP22n50a
Price: 2.5495 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFP22n50a

Gehäuse: TO247AC

N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 230 mOhm; 22A; 277W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP22N50APBFXKMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	230mOhm
Max. Drainstrom:	22A
Maximaler Leistungsverlust:	277W
Gehäuse:	TO247AC
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50A RoHS Gehäuse: TO247AC Datenblatt

Auf Lager:

8 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	3,7984	3,0401	2,7138	2,6387	2,5495

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50A RoHS Gehäuse: TO247AC

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	3,2115	2,6457	2,4086	2,3546	2,2936

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50APBF Gehäuse: TO247AC

Externes Lager:

2025 stk.

Anzahl Stück	75+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,5495

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50APBF Gehäuse: TO247AC

Externes Lager:

255 stk.

Anzahl Stück	225+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,5495

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50APBF Gehäuse: TO247AC

Externes Lager:

830 stk.

Anzahl Stück	5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,5495

Widerstand im offenen Kanal:	230mOhm
Max. Drainstrom:	22A
Maximaler Leistungsverlust:	277W
Gehäuse:	TO247AC
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT