IRFP240PBF

Symbol Micros: TIRFP240
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 180 mOhm; 20A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP240PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 155°C
Montage: THT

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