IRFP244

Symbol Micros: TIRFP244
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
N-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 280 mOhm; 15A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C; IRFP244PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT