IRFP244

Symbol Micros: TIRFP244
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
N-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 280 mOhm; 15A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C; IRFP244PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP244 RoHS Gehäuse: TO 3P  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7132 1,2712 1,0948 1,0421 1,0078
Standard-Verpackung:
25/75
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT