IRFP250PBF
Symbol Micros:
TIRFP250
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 85mOhm; 30A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP250PBF; IRFP250;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 85mOhm |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFP250PBF RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
105 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8870 | 1,4978 | 1,3397 | 1,2808 | 1,2572 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFP250PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
4 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,6022 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFP250PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
2878 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2572 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFP250PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
385 stk.
| Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2572 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 85mOhm |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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