IRFP250PBF

Symbol Micros: TIRFP250

Gehäuse: TO247

N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 85mOhm; 30A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP250PBF; IRFP250;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	85mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	190W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP250PBF RoHS Gehäuse: TO247

Auf Lager:

36 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,8861	1,4971	1,3391	1,2802	1,2566

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP250PBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2566

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP250PBF Gehäuse: TO247

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623 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2566

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP250PBF Gehäuse: TO247

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300 stk.

Anzahl Stück	125+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2566

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-07-04

Anzahl Stück: 100

Widerstand im offenen Kanal:	85mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	190W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT