IRFP250PBF

Symbol Micros: TIRFP250
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Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 85mOhm; 30A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP250PBF; IRFP250;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP250PBF RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
144 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,7821 1,3162 1,1322 1,0670 1,0483
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Standard-Verpackung:
25/200
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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