IRFP250PBF

Symbol Micros: TIRFP250
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 85mOhm; 30A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP250PBF; IRFP250;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP250PBF RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
36 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8861 1,4971 1,3391 1,2802 1,2566
Standard-Verpackung:
25
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP250PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2566
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP250PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
623 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2566
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP250PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 125+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2566
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-07-04
Anzahl Stück: 100
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT