IRFP250M

Symbol Micros: TIRFP250m

Gehäuse: TO247

N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 75 mOhm; 30A; 214 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP250MPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	214W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP250MPBF RoHS Gehäuse: TO247

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150 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,2741	1,7479	1,5317	1,4519	1,4213

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	214W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT