IRFP250N
Symbol Micros:
TIRFP250n
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 75 mOhm; 30A; 214 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP250NPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 75mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 214W |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP250NPBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
600 stk.
| Anzahl Stück | 400+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0018 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP250NPBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
61043 stk.
| Anzahl Stück | 175+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0018 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP250NPBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
1565 stk.
| Anzahl Stück | 5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0202 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 75mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 214W |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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