IRFP250N

Name: TIRFP250n TIRFP250n
Brand: Infineon
SKU: TIRFP250n
Price: 1.0212 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFP250n

Gehäuse: TO247

N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 75 mOhm; 30A; 214 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP250NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	214W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP250N RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

85 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,7372	1,2888	1,1104	1,0447	1,0212

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP250NPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

18002 stk.

Anzahl Stück	175+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0212

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP250NPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

38450 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0212

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP250NPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

870 stk.

Anzahl Stück	5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0212

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	214W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT