IRFP250N

Symbol Micros: TIRFP250n

Gehäuse: TO247

N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 75 mOhm; 30A; 214 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP250NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	214W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP250NPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

600 stk.

Anzahl Stück	400+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,0040

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP250NPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

71333 stk.

Anzahl Stück	175+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,0040

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP250NPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

1465 stk.

Anzahl Stück	5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,0192

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-09-03

Anzahl Stück: 100

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	214W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT