IRFP260PBF VISHAY

Symbol Micros: TIRFP260
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 55mOhm; 46A; 280 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 46A
Maximaler Leistungsverlust: 280W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 46A
Maximaler Leistungsverlust: 280W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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