IRFP260MPBF
Symbol Micros:
TIRFP260m
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP260MPBF; IRFP260M;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFP260MPBF RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
190 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8549 | 1,4712 | 1,3158 | 1,2593 | 1,2358 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP260MPBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
6664 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2358 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP260MPBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
90 stk.
| Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3707 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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